駐極體話(huà)筒內實(shí)際藏有一枚FET，如您喜歡的話(huà)，可視之為一級，FET將話(huà)筒前振膜之電容變化放大，這就是駐極休話(huà)筒很靈敏的原因。

音頻放大級乃由其射極晶休管VT1擔任，增益約20至50，將放大的訊號送往振蕩級之基極。

振蕩級VT2工作于約88MHz之頻率，這頻率由振蕩線(xiàn)圈（共5圈）和47pF電容器調整的，該頻率也決定于晶體管、18pF回輸電容器及還有少數偏壓元件，例如470Ω射極電阻和22K基極電阻。

電源接通時(shí)，1nF基極電容器通過(guò)22K電阻逐漸充電，而18pF則經(jīng)振蕩線(xiàn)圈的470Ω電阻充電，但更加之快，47pF電容也充電（其兩端雖僅得小的電壓），線(xiàn)圈產(chǎn)生磁場(chǎng)。

基極電壓漸漸上升時(shí)，晶體管導通，并有效地將內阻并接在18pF兩側。當1nF電容充電至該極的工作電壓時(shí)，就會(huì )發(fā)生好幾個(gè)雜亂的周波，故此，我們假定討論在靠近工作電壓之時(shí)�；鶚O電壓繼續上升，18PF電容試圖阻止射極用壓的移動(dòng)，到電容器內的能量耗盡及再不阻止射級移動(dòng)之時(shí)，基一射極電壓降低，晶體管截止，流人線(xiàn)圈的電流也停止，磁場(chǎng)衰潰。

磁場(chǎng)衰潰，產(chǎn)生一個(gè)相反方向的電壓，集極電壓反過(guò)來(lái)從原本的2.9V上升至超過(guò)3V，并以相反方向47pF電容充電，這電壓也影響到對18pF電容充電，及470Ω射極電阻上的電壓降使到晶休管進(jìn)入更深的截止。18pF電容充電時(shí)，射電壓下跌，并跌到某一晶休管開(kāi)始導通，電流流入線(xiàn)圈，與衰潰磁場(chǎng)對抗。線(xiàn)圈上之電壓反轉，形成集極電壓下降，這個(gè)變化通過(guò)18pF電容傳送到射極上，結果晶休管進(jìn)入更深的導通，把18pF電容短路，周期再開(kāi)始重復。

故此，VT2在此形成一個(gè)振蕩，產(chǎn)生88MHz的交流訊號。放大后之音頻訊號經(jīng)電容C2潰入到VT2之基極，改變振蕩頻率，產(chǎn)生所需的FM訊號。